三重大学ウェブシラバス

シラバス表示

　シラバスの詳細な内容を表示します。

→ 閉じる（シラバスの一覧にもどる）

科目の基本情報

開講年度	2022 年度
開講区分	工学部自由科目

受講対象学生	学部(学士課程) : 4年次電気電子工学コース4年次クロス科目のため、学部修士一貫コースの学生のみ受講可能です。
選択・必修	選択
授業科目名	ナノ材料設計特論
	なのざいりょうせっけいとくろん
	Adavanced Computational Nanomaterials
単位数	2 単位
ナンバリングコード	MECH

開放科目	非開放科目
開講学期	前期
開講時間	火曜日 1, 2時限
授業形態	対面授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業「ハイブリッド授業」・・・「対面授業」と「オンライン授業」を併用した授業「オンデマンド授業」・・・動画コンテンツの配信等によって実施する授業
開講場所
担当教員	秋山　亨(工学研究科物理工学専攻)
担当教員	AKIYMA, Toru
SDGsの目標
連絡事項	* 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい

学修の目的と方法

授業の概要	Material design methods on the basis of quantum physics are discussed and several typical examples for the application of these methods are presented. Based on these discussion methods in nano science are systematically studied
学修の目的	To understand basic concepts of nano materials and nano material properties
学修の到達目標	To learn basic knowledge for understanding basic concepts of nano materials and nano material properties
ディプロマ・ポリシー	○ 学科・コース等の教育目標 ○ 全学の教育目標感じる力　感性　共感 ○主体性考える力　幅広い教養　専門知識・技術 ○論理的・批判的思考力コミュニケーション力 ○表現力(発表・討論・対話) 　リーダーシップ・フォロワーシップ　実践外国語力生きる力　問題発見解決力　心身・健康に対する意識　社会人としての態度・倫理観 ○ JABEE 関連項目
成績評価方法と基準	レポート100%。ただし、状況によって期末試験を実施する(100%)。8割以上の出席が必要。
授業の方法	講義
授業の特徴	PBL 特色ある教育英語を用いた教育
授業改善の工夫
教科書
参考書	W. A. Harrison, "Electronic structure and the properties of solids" P. Y. Yu and M. Cardona, "Fundamentals of semiconductors"
オフィスアワー	毎日11:30～12:30、場所6203号室
受講要件	ナノ材料設計演習を履修すること。
予め履修が望ましい科目	固体電子特論、量子材料設計特論
発展科目	ナノ材料設計演習
その他

授業計画

MoodleのコースURL

キーワード	nanomaterials, materials design
Key Word(s)	nanomaterials, materials design
学修内容	1. Introduction 2. Overview of materials design I 3. Overview of materials design II 4. Basic concepts of electronic band structure I 5. Basic concepts of electronic band structure II 6. Advances of electronic band structure I 7. Advances of electronic band structure II 8. Advances of electronic band structure III 9. Vibrational property I 10.Vibrational property II 11. Thermal conductivity 12. Electric transport I 13. Electric transport II 14. Crystal growth I 15. Crystal growth II
事前・事後学修の内容	Please check references and other supplemental materials
事前・事後学修の内容	事前学修の時間:120分/回　　　事後学修の時間:120分/回