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科目の基本情報
| 開講年度 | 2021 年度 | |
|---|---|---|
| 開講区分 | 地域イノベーション学研究科(博士前期課程) | |
| 受講対象学生 |
大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次 |
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| 選択・必修 | 選択 |
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| 授業科目名 | 工学イノベーション特論Ⅱ | |
| こうがくイノベーションとくろん に | ||
| Engineering Innovation Ⅱ | ||
| 単位数 | 2 単位 | |
| ナンバリングコード | inov-inov-ENGR-5-1-1-1-002
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| 開放科目 | 非開放科目 | |
| 開講学期 |
前期 |
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| 開講時間 |
講義日は別途指定します。 Dates of lectures are specified separately. |
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| 授業形態 |
ハイブリッド授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい
「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業 |
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| 開講場所 | 第1講義室 | |
| 担当教員 | 三宅秀人,上杉謙次郎,名西やすし(ゲスト講師；立命館大学） | |
| Hideto Miyake, Kenjiro Uesugi and Yasushi Nanishi (Guest Lecturer; Ritsumeikan University) | ||
| SDGsの目標 |
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| 連絡事項 | * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい |
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学修の目的と方法
| 授業の概要 | Fundamentals of crystal structure, band structure, defects, mechanical, optical and electronic properties, crystal growth methods, and processing of compound semiconductors, those hetero and nano-structure properties and preparations, applications to optoelectronic and high frequency devices will be covered in this lecture. |
|---|---|
| 学修の目的 | Understanding of semiconductor physics and devives; fundamentals of crystal structure, band structure, defects, mechanical, optical and electronic properties, crystal growth methods, and processing of compound |
| 学修の到達目標 | Understanding of semiconductor physics and devives; fundamentals of crystal structure, band structure, defects, mechanical, optical and electronic properties, crystal growth methods, and processing of compound 。 |
| ディプロマ・ポリシー |
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| 成績評価方法と基準 | Discussion in lucture, and reports |
| 授業の方法 | 講義 |
| 授業の特徴 |
問題提示型PBL（事例シナリオ活用含） 問題自己設定型PBL プロジェクト型PBL 実地体験型PBL 教員と学生、学生相互のやり取りが、ほぼ英語で進められる授業 |
| 授業改善の工夫 | Discussion and presentation for each chapter |
| 教科書 | Prints of chapter |
| 参考書 | |
| オフィスアワー | Monday 12:00-13:00，Or ask by e-mail. |
| 受講要件 | |
| 予め履修が望ましい科目 | Solid state phyics and basic semiconductor phyics |
| 発展科目 | |
| その他 | This class is a lecture in English. |
授業計画
| MoodleのコースURL |
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| キーワード | 半導体，光デバイス，LED，半導体レーザ，ディスプレイ，太陽電池 |
|---|---|
| Key Word(s) | Physics in Semiconductors, Electronic Engineering, Optical Devices, LED, Display |
| 学修内容 | 1 Crystal structure and defects 2 Band Structure 3 Carrier transport under low electric field; mobility 4 Carrier transport in steady state and transient conditions under high electric field; saturation velocity and ballistic motion 5 Hetero and nano structures 6 Metal-semiconductor, insulator-semiconductor junction and interface 7 Semiconductor alloys 8 Super lattice and quantum effects 9 Epitaxial growth 1 (LPE, VPE) 10 Epitaxial growth 2 (MBE,MOCVD) 11 Application to electronic devices 1 12 Application to electronic devices 2 13 Application to optoelectronic devices 1 14 Application to optoelectronic devices 2 15 Summary |
| 事前・事後学修の内容 | 事前学習は、求めないが、事後学習として下記の授業内容にについて、配付資料に基づいて理解を深める学修を行うとともに、課題のレポート提出を求める。 1 Crystal structure and defects 2 Band Structure 3 Carrier transport under low electric field; mobility 4 Carrier transport in steady state and transient conditions under high electric field; saturation velocity and ballistic motion 5 Hetero and nano structures 6 Metal-semiconductor, insulator-semiconductor junction and interface 7 Semiconductor alloys 8 Super lattice and quantum effects 9 Epitaxial growth 1 (LPE, VPE) 10 Epitaxial growth 2 (MBE,MOCVD) 11 Application to electronic devices 1 12 Application to electronic devices 2 13 Application to optoelectronic devices 1 14 Application to optoelectronic devices 2 15 Summary |
| 事前学修の時間: 事後学修の時間:240分/回 |