三重大学ウェブシラバス

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科目の基本情報

開講年度	2020 年度
開講区分	工学研究科(博士前期課程)機械工学専攻
領域	主領域 : E; 副領域 : G

受講対象学生	大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次, 2年次
選択・必修
授業科目名	ナノテクノロジー特論
	なのてくのろじーとくろん
	Nano-scale Technology
単位数	2 単位
ナンバリングコード	EN-PROC-5

開放科目
開講学期	前期
開講時間	火曜日 1, 2時限
開講場所
担当教員	高橋　裕（工学研究科機械工学専攻）
担当教員	TAKAHASHI, Yutaka
SDGsの目標

学修の目的と方法

授業の概要	MOSトランジスターを例として半導体プロセスによる微細加工法を講義する。前半においては固体物理の観点から半導体デバイスの動作特性を説明する。中盤ではその構造を作り出すための、ウエハーからパッケージングまでの一連の製造工程を説明する。そして、後半ではそれらの製造機の仕組みや要求される特性を説明する。
学修の目的	MOSトランジスターには種々の半導体デバイスを製造するために使われるプロセスがほぼすべて含まれている。また、トップダウン型のナノテクノロジーにおいて、汎用的に用いられる手法でもあり、その原理と実践に関する知識を得る。
学修の到達目標	半導体プロセスの一連の流れと必要な装置が挙げれるようになるとともに、マイクロマシンやトップダウンのナノテクノロジーに関連する講演を聴いてある程度理解できるレベルになる。
ディプロマ・ポリシー	○ 学科・コース等の教育目標 ○ JABEE 関連項目 ○ 全学の教育目標感じる力　感性　共感　主体性考える力　幅広い教養 ○専門知識・技術　論理的・批判的思考力コミュニケーション力　表現力(発表・討論・対話) 　リーダーシップ・フォロワーシップ　実践外国語力生きる力 ○問題発見解決力　心身・健康に対する意識　社会人としての態度・倫理観
成績評価方法と基準	期末試験100%, ただし2/3以上の出席を必要とする。
授業の方法	講義
授業の特徴	PBL 特色ある教育英語を用いた教育
授業改善の工夫	プロジェクターでテキストの図面を表示し、視覚的にわかりやすくする。教科書に沿った内容であるため、板書はメモ程度で用いるが、話す内容が早くならない役目もある。また、現場から取材した図や写真も示し、臨場感を持たせる。
教科書	講義開始時にプリントを配布する。
参考書	特になし
オフィスアワー	開講曜日にあわせて、毎週火曜日13:00～14:00 合同棟２F　7206室
受講要件	特になし
予め履修が望ましい科目	特になし
発展科目	ナノテクノロジー演習
その他	英語対応授業である。

授業計画

MoodleのコースURL

キーワード	半導体、バンド構造、pn接合、MOS、ナノ加工、リソグラフィー
Key Word(s)	semiconductor, band structure, pn junction, MOS, nano-processing, lithography
学修内容	以下の3大項目に関して、テキストに沿って進める。第1～5回　半導体の電子論固体中の電子, p-n接合, MOS構造第6～10回　半導体の製造工程(ウエハーからパッケージングまで) 基板工程, 配線工程第11～15回　半導体の製造機ウエハー製造, 薄膜成長, イオン打ち込み, 微細露光, エッチング第16回　定期試験 The following three major topics are tught using a text. 1st-5th Electron Theory of Semiconductor electrons in solids, p-n junctions, MOS structures 6th-10th Semiconductor manufacturing process (from wafer production to IC packaging) substrate process, wiring process 11th-15th Semiconductor manufacturing machines wafer manufacturing, thin film deposition, ion implantation, lithography, etching 16th Exam
事前・事後学修の内容	講義においては要点に集中して話しを進めるため、当該のテキストの箇所を授業後に目を通して復習し、次回の講義に備える必要がある。

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