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科目の基本情報

開講年度	2020 年度
開講区分	地域イノベーション学研究科(博士前期課程)

受講対象学生	大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次
選択・必修	選択
授業科目名	工学イノベーション特論Ⅱ
	こうがくイノベーションとくろんに
	Engineering Innovation Ⅱ
単位数	2 単位
ナンバリングコード	inov-inov-ENGR-5-1-1-1-002

開放科目	非開放科目
開講学期	スケジュール表による Dates of lectures are specified separately.
開講時間	講義日は別途指定します。 Dates of lectures are specified separately.
開講場所	第1講義室
担当教員	三宅秀人,上杉謙次郎,名西やすし(ゲスト講師；立命館大学）
担当教員	Hideto Miyake, Kenjiro Uesugi and Yasushi Nanishi (Guest Lecturer; Ritsumeikan University)
SDGsの目標

学修の目的と方法

授業の概要	Fundamentals of crystal structure, band structure, defects, mechanical, optical and electronic properties, crystal growth methods, and processing of compound semiconductors, those hetero and nano-structure properties and preparations, applications to optoelectronic and high frequency devices will be covered in this lecture.
学修の目的	Understanding of semiconductor physics and devives; fundamentals of crystal structure, band structure, defects, mechanical, optical and electronic properties, crystal growth methods, and processing of compound
学修の到達目標	Understanding of semiconductor physics and devives; fundamentals of crystal structure, band structure, defects, mechanical, optical and electronic properties, crystal growth methods, and processing of compound 。
ディプロマ・ポリシー	○ 学科・コース等の教育目標 ○ 全学の教育目標感じる力　感性　共感 ○主体性考える力　幅広い教養 ○専門知識・技術　論理的・批判的思考力コミュニケーション力 ○表現力(発表・討論・対話) 　リーダーシップ・フォロワーシップ　実践外国語力生きる力　問題発見解決力　心身・健康に対する意識　社会人としての態度・倫理観
成績評価方法と基準	Discussion in lucture, and reports
授業の方法	講義
授業の特徴	PBL 問題提示型PBL（事例シナリオ活用含）問題自己設定型PBL プロジェクト型PBL 実地体験型PBL 特色ある教育英語を用いた教育教員と学生、学生相互のやり取りが、ほぼ英語で進められる授業
授業改善の工夫	Discussion and presentation for each chapter
教科書	Prints of chapter
参考書
オフィスアワー	Monday　12:00-13:00
受講要件
予め履修が望ましい科目	Solid state phyics and basic semiconductor phyics
発展科目
その他	This class is a lecture in English.

授業計画

MoodleのコースURL

キーワード	半導体，光デバイス，LED，半導体レーザ，ディスプレイ，太陽電池
Key Word(s)	Physics in Semiconductors, Electronic Engineering, Optical Devices, LED, Display
学修内容	1 Crystal structure and defects 2 Band Structure 3 Carrier transport under low electric field; mobility 4 Carrier transport in steady state and transient conditions under high electric field; saturation velocity and ballistic motion 5 Hetero and nano structures 6 Metal-semiconductor, insulator-semiconductor junction and interface 7 Semiconductor alloys 8 Super lattice and quantum effects 9 Epitaxial growth 1 (LPE, VPE) 10 Epitaxial growth 2 (MBE,MOCVD) 11 Application to electronic devices 1 12 Application to electronic devices 2 13 Application to optoelectronic devices 1 14 Application to optoelectronic devices 2 15 Summary
事前・事後学修の内容	Ask reports for each chapter

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