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開講年度 | 2020 年度 | |
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開講区分 | 工学部電気電子工学科/総合工学科電気電子工学コース ・専門教育 | |
受講対象学生 |
学部(学士課程) : 3年次 |
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選択・必修 | 選択 選択科目 |
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授業科目名 | 電子デバイス工学 | |
でんしでばいすこうがく | ||
Electronic Device Engineering | ||
単位数 | 2 単位 | |
ナンバリングコード | EN-EMAT-3
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開放科目 | 非開放科目 | |
開講学期 |
後期 |
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開講時間 |
水曜日 3, 4時限 |
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開講場所 | 工学部教室 | |
担当教員 | 三宅 秀人(地域イノベーション学研究科,工学部電気電子工学科) | |
MIYAKE, Hideto | ||
SDGsの目標 |
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授業の概要 | 半導体工学で学んだpn接合に関する内容を踏まえ、金属-半導体接触や各種電子デバイス(バイポーラトランジスター,MIS構造,MOSトランジスタ、パワーデバイスなど)の動作原理と特性について学ぶ。また、半導体デバイスの作製技術(特に、ドーピング、熱酸化、リソグラフィ、エピタキシャル成長)についても学ぶ。 |
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学修の目的 | 各種電子デバイスの動作原理と特性、半導体デバイス作製技術について知識を得る。 |
学修の到達目標 | 金属-半導体接触やpn接合を応用した電子デバイスの動作原理と特性、半導体デバイス作製技術について理解できる。 ★学習・教育目標:「基礎・専門知識」、「自主的継続的学習能力」、「制約下での仕事」 |
ディプロマ・ポリシー |
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成績評価方法と基準 | 以下の方式で配点を行い,総合の60%以上を合格とする。 定期試験:80%、レポート演習:20% 5回以上欠席または遅刻の人は、不合格とする。 |
授業の方法 | 講義 |
授業の特徴 |
問題提示型PBL(事例シナリオ活用含) 問題自己設定型PBL プロジェクト型PBL 実地体験型PBL |
授業改善の工夫 | 本講義では、半導体工学で学んだ半導体材料とその物性やpn接合をベースにして、金属-半導体接触やpn接合を応用した電子デバイスの動作原理と特性および半導体デバイス作製技術が学べるようにした。講義は教科書に沿って行うと共に、半導体技術に関連した研究開発の最先端情報を提供する。実際の半導体プロセス装置および半導体デバイスのサンプルを紹介する。演習についてはPBLチュートリアル教育を採用し、講義時間中の演習を通して学生自らが問題を解決する能力を養うようにする。 |
教科書 | 高橋清、山田陽一「半導体工学:半導体物性の基礎 〈第3版〉」(森北出版 |
参考書 | 水谷孝「新インターユニバーシティ 電子デバイス」(オーム社), 平松和政「新インターユニバーシティ 半導体工学」(オーム社) 菅博,川端敬志,矢野満明,田中誠「図説 電子デバイス(改訂版)」(産業図書) |
オフィスアワー | オフィスアワー:月曜日12:00-13:00(その他の時間については,訪問時間を電子メールにて尋ねてください。) 教員室: 電子情報棟 1階1116室 電子メールアドレス:miyake@elec.mie-u.ac.jp |
受講要件 | |
予め履修が望ましい科目 | 内容が連続している科目:半導体工学 履修しておくことが望ましい科目:基礎物理学I,基礎物理学IIIA,基礎電磁気学及び演習,電磁気学I・II及び演習,材料科学,量子力学,固体電子工学,電子回路工学I,電気電子工学基礎実験 |
発展科目 | 光エレクトロニクス,高電圧工学,電気電子工学応用実験 |
その他 | 半導体は、エレクトロニクス技術を支える最も重要な材料です。材料系だけでなく、システム系の研究室での卒業研究を考えている学生も是非受講してください。なお、この授業を受けるためには、前期の半導体工学を受講することを強く勧めます。 |
MoodleのコースURL |
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キーワード | pn接合,バイポーラトランジスタ,金属-半導体接触,MIS構造,電界効果トランジスタ,超高周波デバイス,パワーデバイス,デバイスプロセス,結晶成長,不純物拡散,リソグラフィ,結晶評価 |
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Key Word(s) | p-n junction, Metal-Semiconductor Contact, MIS Structure, Field Effect Transistor, Super High Frequency Device, Power Device, Device Process, Crystal Growth, Diffusion of Impurity, Lithography, Crystal Characterization |
学修内容 | 第1回 ガイダンス,電子デバイスの学び方 第2回 1章 量子論入門 第3回 2章 固体の帯理論 第4回 3章 統計力学の基礎 第5回 4章 半導体と電導機構 第6回 5章 p-n接合 第7回 5章 p-n接合 第8回 6章 ヘテロ接合と金属-半導体接触 第9回 7章 トランジスタと集積回路 第10回 7章 トランジスタと集積回路 第11回 8章 半導体の光学的性質 第12回 9章 発光デバイスと受光デバイス 第13回 9章 発光デバイスと受光デバイス 第14回 10章 半導体の各種性質 第15回 11章 量子効果デバイス、12章 21世紀のエレクトロニクス 第16回 期末試験 |
事前・事後学修の内容 | 毎回の講義において、以下に示す予習・復習を行うこと 予習:該当箇所について教科書を読んでおくこと。 復習:講義内容や演習問題を復習すること。 |