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科目の基本情報

開講年度	2018 年度
開講区分	工学研究科(博士前期課程)電気電子工学専攻
領域	主領域 : E; 副領域 : F
受講対象学生	大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次
選択・必修
授業科目名	電子デバイスプロセス設計演習
	でんしでばいすぷろせすせっけいえんしゅう
	Seminar in Electronic Device Process Design
単位数	2 単位
他学部・他研究科からの受講	他専攻の学生の受講可, 他研究科の学生の受講可
市民開放授業	市民開放授業ではない
開講学期	前期
開講時間	木曜日 9, 10, 11, 12時限
開講場所
担当教員	佐藤　英樹（工学研究科電気電子工学専攻）
	SATO, Hideki

学習の目的と方法

授業の概要	半導体集積回路や液晶ディスプレイなどの電子デバイスは、ナノスケールの膜厚を持つ極めて薄い膜を形成する技術、すなわち薄膜作製技術により成り立っているといっても過言ではない。そのため最先端電子デバイスにおいては、必要とされる特性を持つ薄膜材料を作製し、さらに必要な形状に加工するためのプロセス設計技術が不可欠である。 　本演習では、気体分子運動論、表面物性工学、真空工学について概観し、これらを応用した各種成膜技術（蒸着、スパッタリング、CVDなど）、ドライエッチング技術、薄膜表面分析・評価技術について理解する。
学習の目的	・電子デバイスプロセスの概要について理解する。 ・真空技術、表面物性工学、薄膜工学について理解する。 ・上記の知識を、ナノエレクトロニクス研究や先端電子材料研究などで応用できるようになる。
学習の到達目標	電子デバイスプロセス設計に関連する下記の各事項について、輪講形式の英語文献購読により理解する。さらにこれらに関する専門用語を含む英語文献を理解する力を養う。 （１）電子デバイスプロセスの概要 （２）真空技術 （３）表面物性工学 （４）薄膜形成技術 （５）薄膜評価技術 （６）各種薄膜材料（金属、半導体、絶縁体）とそれらの応用 （７）ドライエッチング技術 （８）先端薄膜材料 （これらについては、変更になる場合もあります）
ディプロマ・ポリシー	○ 学科・コース等の教育目標 ○ JABEE 関連項目 ○ 全学の教育目標 感じる力 　感性 　共感 　倫理観 ○モチベーション ○主体的学習力 　心身の健康に対する意識 考える力 　幅広い教養 ○専門知識・技術 ○論理的思考力 ○課題探求力 　問題解決力 　批判的思考力 コミュニケーション力 　情報受発信力 ○討論・対話力 　指導力・協調性 　社会人としての態度 ○実践外国語力 生きる力 　感じる力、考える力、コミュニケーション力を総合した力
授業の方法	演習
授業の特徴
教科書	教科書については授業開始時に指定する。
参考書
成績評価方法と基準	受講態度およびレポートにより評価を行う。なお、5回以上欠席した場合は原則として不合格とする。
オフィスアワー	随時対応 場所：電気電子棟1階 電子メール：sato@elec.mie-u.ac.jp
受講要件	特になし
予め履修が望ましい科目	熱力学、半導体工学、電気電子物性論
発展科目	電子デバイスプロセス設計特論
授業改善への工夫	授業時に随時、意見を聞き、授業内容に反映させる。
その他

授業計画

キーワード	電子デバイスプロセス、薄膜、真空、表面
Key Word(s)	Electronic device fabrication process, Thin film, Vacuum, Surface
学習内容	「学習の到達目標」の項で列挙した事項に関する英語文献を，輪講形式で購読する。
事前・事後学修の内容	テキストの内容を事前に予習しておくこと。

ナンバリングコード(試行)	EN-EMAT-5

※最初の2文字は開講主体、続く4文字は分野、最後の数字は開講レベルを表します。 ナンバリングコード一覧表はこちら