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科目の基本情報

開講年度	2017 年度
開講区分	工学研究科(博士後期課程)材料科学専攻
受講対象学生	大学院(博士課程・博士後期課程) : 1年次
選択・必修
授業科目名	電子デバイス工学特論
	でんしでばいすこうがくとくろん
	Electronic Devices
単位数	2 単位
他学部・他研究科からの受講
市民開放授業	市民開放授業ではない
開講学期	前期
開講時間	金曜日 1, 2時限
開講場所
担当教員	平松和政（工学研究科材料科学専攻）
	HIRAMATSU, Kazumasa

学習の目的と方法

授業の概要	半導体電子デバイス，光デバイスの機能及び動作原理，材料構成，基本構造，集積化に関する高度な知識を講義を通して学ぶ。
学習の目的	半導体電子デバイス，光デバイスの機能及び動作原理，材料構成，基本構造，集積化に関する高度な知識を得る。
学習の到達目標	半導体電子デバイス，光デバイスの機能及び動作原理，材料構成，基本構造，集積化について理解できる。
ディプロマ・ポリシー	○ 学科・コース等の教育目標 ○ 全学の教育目標 感じる力 　感性 　共感 　倫理観 　モチベーション ○主体的学習力 　心身の健康に対する意識 考える力 　幅広い教養 ○専門知識・技術 　論理的思考力 　課題探求力 　問題解決力 　批判的思考力 コミュニケーション力 　情報受発信力 ○討論・対話力 　指導力・協調性 　社会人としての態度 　実践外国語力 生きる力 ○感じる力、考える力、コミュニケーション力を総合した力
授業の方法	講義
授業の特徴	PBL 能動的要素を加えた授業
教科書	プリント
参考書
成績評価方法と基準	レポート100%。ただし、8割以上の出席を必要とする。
オフィスアワー	オフィスアワー：毎週金曜日12:00～18:00 教授室：電気電子棟1階1120室 連絡方法：電子メールhiramatu@elec.mie-u.ac.jp（訪問予定をE-mailで尋ねてください。）
受講要件
予め履修が望ましい科目	（学部）半導体工学I，半導体工学II，量子エレクトロニクス （大学院）オプトエレクトロニクス特論，オプトエレクトロニクス演習，半導体工学特論，半導体工学演習
発展科目	電子デバイス工学演習
授業改善への工夫	半導体電子デバイス，光デバイスの機能及び動作原理，材料構成，基本構造，集積化について高度な知識が学べるよう、最新の研究事例などの情報を提供する。また、学生自らが問題を解決できるようPBL教育を導入する。
その他

授業計画

キーワード	オプトエレクトロニクス，半導体，光，結晶成長，電子デバイス，光デバイス
Key Word(s)	Optoelectronics, Semiconductor, Optics, Crystal Growth, Electrical Device, Optical Device
学習内容	第1回～第6回　半導体材料と結晶成長 第7回～第11回　半導体材料の電気的・光学的特性 第12回～第16回　半導体材料のデバイス応用
学習課題(予習・復習)	各講義について，以下に示す予習・復習を行うこと。 予習：テキストの該当箇所を読むこと。 復習：講義で習った内容について，復習すること。

ナンバリングコード(試行)	EN-EMAT-7

※最初の2文字は開講主体、続く4文字は分野、最後の数字は開講レベルを表します。 ナンバリングコード一覧表はこちら