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科目の基本情報
| 開講年度 | 2024 年度 | |
|---|---|---|
| 開講区分 | 工学研究科(博士前期課程)機械工学専攻 | |
| 領域 | 主領域 : E; 副領域 : G | |
| 受講対象学生 |
大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次, 2年次 |
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| 選択・必修 | ||
| 授業科目名 | ナノテクノロジー特論 | |
| なのてくのろじーとくろん | ||
| Nano-scale Technology | ||
| 単位数 | 2 単位 | |
| ナンバリングコード | EN-PROC-5
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| 開放科目 | 非開放科目 | |
| 開講学期 |
前期 |
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| 開講時間 |
火曜日 1, 2時限 |
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| 授業形態 |
対面授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい
「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業 |
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| 開講場所 | ||
| 担当教員 | 高橋 裕（工学研究科機械工学専攻） | |
| TAKAHASHI, Yutaka | ||
| SDGsの目標 |
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| 連絡事項 | * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい |
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学修の目的と方法
| 授業の概要 | MOSトランジスターを例として半導体プロセスによる微細加工法を講義する。前半においては固体物理の観点から半導体デバイスの動作特性を説明する。中盤ではその構造を作り出すための、ウエハーからパッケージングまでの一連の製造工程を説明する。そして、後半ではそれらの製造機の仕組みや要求される特性を説明する。 |
|---|---|
| 学修の目的 | MOSトランジスターには種々の半導体デバイスを製造するために使われるプロセスがほぼすべて含まれている。また、トップダウン型のナノテクノロジーにおいて、汎用的に用いられる手法でもあり、その原理と実践に関する知識を得る。 |
| 学修の到達目標 | 半導体プロセスの一連の流れと必要な装置が挙げれるようになるとともに、マイクロマシンやトップダウンのナノテクノロジーに関連する講演を聴いてある程度理解できるレベルになる。 |
| ディプロマ・ポリシー |
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| 成績評価方法と基準 | 期末試験100%, ただし2/3以上の出席を必要とする。 |
| 授業の方法 | 講義 |
| 授業の特徴 | |
| 授業アンケート結果を受けての改善点 | Zoomでテキストの図面を表示し、視覚的にわかりやすくする。教科書に沿った内容であるため、板書はメモ程度で用いるが、話す内容が早くならない役目もある。また、現場から取材した図や写真も示し、臨場感を持たせる。 |
| 教科書 | 講義開始時にプリントを配布する。 |
| 参考書 | 特になし |
| オフィスアワー | 開講曜日にあわせて、毎週火曜日13:00～14:00 合同棟２F 7206室 |
| 受講要件 | 特になし |
| 予め履修が望ましい科目 | 特になし |
| 発展科目 | ナノテクノロジー演習 |
| その他 |
英語対応授業である。 |
授業計画
| MoodleのコースURL |
|---|
| キーワード | 半導体、バンド構造、pn接合、MOS、ナノ加工、リソグラフィー |
|---|---|
| Key Word(s) | semiconductor, band structure, pn junction, MOS, nano-processing, lithography |
| 学修内容 | 以下の3大項目に関して、テキストに沿って進める。 第1～5回 半導体の電子論 固体中の電子, p-n接合, MOS構造 第6～10回 半導体の製造工程(ウエハーからパッケージングまで) 基板工程, 配線工程 第11～15回 半導体の製造機 ウエハー製造, 薄膜成長, イオン打ち込み, 微細露光, エッチング 第16回 定期試験 The following three major topics are tught using a text. 1st-5th Electron Theory of Semiconductor electrons in solids, p-n junctions, MOS structures 6th-10th Semiconductor manufacturing process (from wafer production to IC packaging) substrate process, wiring process 11th-15th Semiconductor manufacturing machines wafer manufacturing, thin film deposition, ion implantation, lithography, etching 16th Exam |
| 事前・事後学修の内容 | 講義においては要点に集中して話しを進めるため、当該のテキストの箇所を授業後に目を通して復習し、次回の講義に備える必要がある。 |
| 事前学修の時間:90分/回 事後学修の時間:150分/回 |