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科目の基本情報
| 開講年度 | 2024 年度 | |
|---|---|---|
| 開講区分 | 工学部自由科目 | |
| 受講対象学生 |
学部(学士課程) : 4年次 学部修士一貫コース4年生対象 |
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| 選択・必修 | 選択 |
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| 授業科目名 | 半導体デバイス特論 | |
| はんどうたいでばいすとくろん | ||
| Semiconductor Device | ||
| 単位数 | 2 単位 | |
| ナンバリングコード | ||
| 開放科目 | 非開放科目 | |
| 開講学期 |
前期 |
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| 開講時間 |
火曜日 3, 4時限 |
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| 授業形態 |
対面授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい
「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業 |
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| 開講場所 | 卓越型研究施設204号室 | |
| 担当教員 | 濵口 達史・姚 永昭（半導体・デジタル未来創造センター） | |
| HAMAGUCHI, Tatsushi・YAO, Yongzhao | ||
| 実務経験のある教員 | 大手電機メーカーに勤務経験のある教員が講義を行う。 | |
| SDGsの目標 |
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| 連絡事項 | * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい |
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学修の目的と方法
| 授業の概要 | 半導体デバイスは、電子、光などを操作する半導体結晶および金属などの物質からなる複雑な構造体である。本講義では半導体レーザーを対象にその動作原理を学び、また半導体材料およびデバイスの評価技術を学ぶ。 |
|---|---|
| 学修の目的 | 半導体レーザーをはじめとする半導体デバイスの動作原理を理解し、その作成プロセス、および劣化プロセスなどの過程における、素子・材料の評価手法をしることで、実社会でこれらのデバイスがどのように作られているのかを専門的なレベルで理解する。 |
| 学修の到達目標 | 半導体レーザーをはじめとする半導体デバイスの動作原理を理解し、設計、製作することができるようになる。その作成プロセス、および劣化プロセスなどの過程における、素子・材料の評価手法を適切に選択し、その作用を理解することが可能になる。 |
| ディプロマ・ポリシー |
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| 成績評価方法と基準 | 確認テストやレポート等で評価する。 |
| 授業の方法 | 講義 演習 |
| 授業の特徴 | |
| 授業アンケート結果を受けての改善点 | |
| 教科書 | |
| 参考書 | わかる半導体レーザの基礎と応用(CQ出版) |
| オフィスアワー | 毎週水曜日9:00-10:00、場所：地域イノベーション研究開発拠点D棟2F 電子メール：hamaguchi@icsdf.mie-u.ac.jp（訪問予定をE-mailで尋ねてください。） |
| 受講要件 | |
| 予め履修が望ましい科目 | |
| 発展科目 | |
| その他 |
授業計画
| MoodleのコースURL |
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| キーワード | 半導体レーザー、半導体評価 |
|---|---|
| Key Word(s) | Semiconductor laser, semiconductor characterization |
| 学修内容 | 第１回：光とはなんだろう 第２回：レーザーの発振条件 第３回：半導体レーザーの基礎 第４回：半導体レーザーの基礎２ 第５回：半導体レーザーの特性 第６回：半導体レーザーの作成方法 第７回：半導体レーザーの応用 第８回：結晶学の基礎 第９回：半導体結晶中の欠陥1 第１０回：半導体結晶中の欠陥2 第１１回：光学的手法による欠陥検出 第１２回：電子顕微鏡による欠陥構造解析 第１３回：X線回折を利用した欠陥評価1 第１４回：X線回折を利用した欠陥評価2 第１５回：デバイスにおける欠陥の影響 |
| 事前・事後学修の内容 | |
| 事前学修の時間: 事後学修の時間: |