三重大学ウェブシラバス

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科目の基本情報

開講年度	2024 年度
開講区分	工学研究科(博士前期課程)電気電子工学専攻
領域	電気電子工学専攻の専攻指定科目

受講対象学生	大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次, 2年次
選択・必修	選択
授業科目名	半導体デバイス特論
	はんどうたいでばいすとくろん
	Semiconductor Device
単位数	2 単位
ナンバリングコード

開放科目	非開放科目
開講学期	前期
開講時間	火曜日 3, 4時限
授業形態	対面授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業「ハイブリッド授業」・・・「対面授業」と「オンライン授業」を併用した授業「オンデマンド授業」・・・動画コンテンツの配信等によって実施する授業
開講場所	卓越型研究施設204号室
担当教員	濵口　達史・姚　永昭（半導体・デジタル未来創造センター）
担当教員	HAMAGUCHI, Tatsushi・YAO, Yongzhao
実務経験のある教員	大手電機メーカーに勤務経験のある教員が講義を行う。
SDGsの目標
連絡事項	* 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい

学修の目的と方法

授業の概要	半導体デバイスは、電子、光などを操作する半導体結晶および金属などの物質からなる複雑な構造体である。本講義では半導体レーザーを対象にその動作原理を学び、また半導体材料およびデバイスの評価技術を学ぶ。
学修の目的	半導体レーザーをはじめとする半導体デバイスの動作原理を理解し、その作成プロセス、および劣化プロセスなどの過程における、素子・材料の評価手法をしることで、実社会でこれらのデバイスがどのように作られているのかを専門的なレベルで理解する。
学修の到達目標	半導体レーザーをはじめとする半導体デバイスの動作原理を理解し、設計、製作することができるようになる。その作成プロセス、および劣化プロセスなどの過程における、素子・材料の評価手法を適切に選択し、その作用を理解することが可能になる。
ディプロマ・ポリシー	○ 学科・コース等の教育目標 ○ 全学の教育目標感じる力　感性　共感　主体性考える力　幅広い教養 ○専門知識・技術 ○論理的・批判的思考力コミュニケーション力　表現力(発表・討論・対話) 　リーダーシップ・フォロワーシップ　実践外国語力生きる力 ○問題発見解決力　心身・健康に対する意識　社会人としての態度・倫理観 ○ JABEE 関連項目
成績評価方法と基準	確認テストやレポート等で評価する。
授業の方法	講義演習
授業の特徴	PBL 特色ある教育英語を用いた教育
授業アンケート結果を受けての改善点
教科書
参考書	わかる半導体レーザの基礎と応用(CQ出版)
オフィスアワー	毎週水曜日9:00-10:00、場所：地域イノベーション研究開発拠点D棟2F 電子メール：hamaguchi@icsdf.mie-u.ac.jp（訪問予定をE-mailで尋ねてください。）
受講要件
予め履修が望ましい科目
発展科目
その他

授業計画

MoodleのコースURL

キーワード	半導体レーザー、半導体評価
Key Word(s)	Semiconductor laser, semiconductor characterization
学修内容	第１回：光とはなんだろう第２回：レーザーの発振条件第３回：半導体レーザーの基礎第４回：半導体レーザーの基礎２第５回：半導体レーザーの特性第６回：半導体レーザーの作成方法第７回：半導体レーザーの応用第８回：結晶学の基礎第９回：半導体結晶中の欠陥1 第１０回：半導体結晶中の欠陥2 第１１回：光学的手法による欠陥検出第１２回：電子顕微鏡による欠陥構造解析第１３回：X線回折を利用した欠陥評価1 第１４回：X線回折を利用した欠陥評価2 第１５回：デバイスにおける欠陥の影響
事前・事後学修の内容
事前・事後学修の内容	事前学修の時間: 　　　事後学修の時間: