三重大学ウェブシラバス

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科目の基本情報

開講年度	2024 年度
開講区分	地域イノベーション学研究科(博士前期課程)

受講対象学生	大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次
選択・必修	選択
授業科目名	工学イノベーション特論Ⅱ
	こうがくイノベーションとくろんに
	Engineering Innovation Ⅱ
単位数	2 単位
ナンバリングコード	inov-inov-ENGR-5-1-1-1-002

開放科目	非開放科目
開講学期	前期
開講時間	火曜日 3, 4時限
授業形態	対面授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業「ハイブリッド授業」・・・「対面授業」と「オンライン授業」を併用した授業「オンデマンド授業」・・・動画コンテンツの配信等によって実施する授業
開講場所	地域イノベーション研究開発拠点D棟4階　第２講義室
担当教員	三宅秀人
担当教員	MIYAKE, Hideto
実務経験のある教員
SDGsの目標
連絡事項	* 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい

学修の目的と方法

授業の概要	私たちの身の回りには半導体を用いた機器が数多く存在する。本授業では半導体材料や半導体素子の分析と計測について学び、半導体の高性能化を支える技術について理解を深める。
学修の目的	半導体材料の品質と半導体素子の性能を正しく評価するために必須となる分析・計測技術について、その背景となる物理現象も含めて理解することを目的とする。
学修の到達目標	半導体材料の品質と半導体素子の性能の関係について理解し、説明することができる。光・X線・電子線などのプローブが有する特性と、調べる対象となる材料や素子が有する特性の関係について理解し、適切な手法を選択することができる。代表的な半導体素子の動作原理とその性能を評価する手法を理解し、説明することができる。
ディプロマ・ポリシー	○ 学科・コース等の教育目標 ○ 全学の教育目標感じる力　感性　共感 ○主体性考える力　幅広い教養 ○専門知識・技術　論理的・批判的思考力コミュニケーション力 ○表現力(発表・討論・対話) 　リーダーシップ・フォロワーシップ　実践外国語力生きる力 ○問題発見解決力　心身・健康に対する意識　社会人としての態度・倫理観
成績評価方法と基準	講義での質疑とレポートによって成績を評価する。
授業の方法	講義
授業の特徴	PBL 特色ある教育英語を用いた教育
授業アンケート結果を受けての改善点	学生との対話を通して理解度と興味関心の把握に努め、必要に応じて講義内容の補足を行う。
教科書	特に指定しないが、適宜参考となる図書や文献を紹介する。
参考書	特に指定しないが、適宜参考となる図書や文献を紹介する。
オフィスアワー	火曜日 12:00-13:00 地域イノベーション研究開発拠点D棟2階
受講要件
予め履修が望ましい科目
発展科目
その他

授業計画

MoodleのコースURL

キーワード	半導体, 光・電子デバイス, トランジスタ, LED, レーザーダイオード, 太陽電池
Key Word(s)	Semiconductors, Optoelectronic devices, Transistors, Light-emitting diodes, Laser diodes, Photovoltaic cells
学修内容	第１回：はじめに（ガイダンス：講義内容）第２回：半導体・金属・絶縁体第３回：半導体デバイス第４回：結晶成長第５回：プラズマ第６回：真空成膜第７回：光学多層膜第８回：エッチング第９回：プロセスインテグレーション第１０回：欠陥の種類と解析第１１回：結晶評価技術第１２回：結晶中の回折現象第１３回：X線回折と解析技術第１４回：デバイス評価技術第１５回：オペランド評価
事前・事後学修の内容	事前学習は求めないが、事後学習として、各回の授業内容についての理解を深めるために配布資料と参考文献に基づいた学習を必要とする。第１回：はじめに（ガイダンス：講義内容）第２回：半導体・金属・絶縁体第３回：半導体デバイス第４回：結晶成長第５回：プラズマ第６回：真空成膜第７回：光学多層膜第８回：エッチング第９回：プロセスインテグレーション第１０回：欠陥の種類と解析第１１回：結晶評価技術第１２回：結晶中の回折現象第１３回：X線回折と解析技術第１４回：デバイス評価技術第１５回：オペランド評価
事前・事後学修の内容	事前学修の時間: 　　　事後学修の時間:240分/回