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科目の基本情報

開講年度 2024 年度
開講区分 工学部電気電子工学科/総合工学科電気電子工学コース ・専門教育
受講対象学生 学部(学士課程) : 3年次
選択・必修 選択
授業科目名 材料科学
ざいりょうかがく
material science
単位数 2 単位
ナンバリングコード
EN-EMAT-2
開放科目 非開放科目    
開講学期

後期

開講時間 水曜日 3, 4時限
授業形態

対面授業

* 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい

「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業
「ハイブリッド授業」・・・「対面授業」と「オンライン授業」を併用した授業
「オンデマンド授業」・・・動画コンテンツの配信等によって実施する授業

開講場所

担当教員 濵口 達史・姚 永昭(半導体・デジタル未来創造センター)

HAMAGUCHI, Tatsushi・YAO, Yongzhao

実務経験のある教員 電気メーカーにて半導体デバイスの研究開発、量産経験のある教員が担当する。材料科学が実社会でどのように活用されているかという観点を大切にし講義を行う。

SDGsの目標
連絡事項

* 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい

学修の目的と方法

授業の概要 半導体デバイスの作製プロセスは、半導体のみならず金属、絶縁体などの多種多様な材料の形成、微細な加工、評価などの幾多の工程を含み、まさしく材料科学の応用・集大成と言える。また、その工程や背景にある原理は半導体デバイスのみならずさまざまな電子機器製造にも応用されている。本講義では半導体作製プロセス全般を学び、材料科学の実社会での活用のされ方を理解する。
学修の目的 以下の知識を得ることを目的とする。①半導体、絶縁体、金属の違いに関する基礎的な理解。②これらの形成、加工手法、評価、とりわけ半導体素子製造・評価技術についての基礎知識。③これら材料及び工程を組み合わせたデバイスの製造プロセスについての基礎知識。
学修の到達目標 材料やその応用である半導体素子・製造工程についての基本的な知識を身につけ、電子デバイスおよびその作製・評価プロセスに対する基礎的知識を理解する。
ディプロマ・ポリシー
○ 学科・コース等の教育目標
 多面的な思考能力と素養:日本や世界各国の種々の時代や地域には、多様な考え方が存在していることを学び、様々な立場から互いの意見を尊重して相互に理解できる。【認知的領域】
 技術者倫理:電気電子工学の基礎知識を身につけ、科学技術が社会や自然環境に及ぼす影響を理解し、責任ある技術者として行動できる。【情意的領域】
○基礎知識と専門知識:数学、自然科学、情報技術、並びに電気電子工学に関する基礎及び専門知識を修得し、それらの知識を応用できる。【認知的領域】
 デザイン能力・ものづくり能力:電気電子工学の基礎と専門知識を基にして、関連した情報の収集を図り、課題を解決する手法を提案でき、それに基づいて「ものづくり」を行える。【技能表現領域】
 コミュニケーション能力:実験した内容や考察した内容、調査した内容を図、表等を利用して文書により表現し、他人に説明できる能力、討論を行える。専門とする分野の英語で書かれた文献について理解し、説明できる。【技能表現領域】
 自主的継続的学習能力:電気電子工学に関連する種々の分野に関心を持ち、未知な分野が広がっていることを感じて、自主的、継続的な学習が必要であることを認識できる。【情意的領域】
 制約下での仕事の推進・統括:電気電子工学分野の基礎に関する与えられた課題または自ら設定した課題について、計画的に物事を進め、期限までにまとめて報告書を提出できる。【認知的領域】

○ 全学の教育目標
感じる力
  •  感性
  •  共感
  • ○主体性
考える力
  •  幅広い教養
  • ○専門知識・技術
  •  論理的・批判的思考力
コミュニケーション力
  •  表現力(発表・討論・対話)
  •  リーダーシップ・フォロワーシップ
  •  実践外国語力
生きる力
  • ○問題発見解決力
  •  心身・健康に対する意識
  •  社会人としての態度・倫理観

○ JABEE 関連項目
成績評価方法と基準 確認テストやレポート等(30%)と期末試験(70%)で評価する。
授業の方法 講義

授業の特徴

PBL

特色ある教育

英語を用いた教育

授業アンケート結果を受けての改善点
教科書 講義資料を用いますので教科書はありません。
参考書 半導体デバイス 第2版 基礎理論とプロセス技術 S.M.ジィー著 産業図書
オフィスアワー 毎週水曜日9:00-10:00、場所:地域イノベーション研究開発拠点D棟2F
電子メール:hamaguchi@icsdf.mie-u.ac.jp(訪問予定をE-mailで尋ねてください。)
受講要件
予め履修が望ましい科目
発展科目
その他

授業計画

MoodleのコースURL
キーワード 半導体、半導体デバイス、LED、レーザー、半導体プロセス、結晶、欠陥、転位、結晶粒界。
Key Word(s) Semiconductors, semiconductor devices, LEDs, lasers, semiconductor processes, crystals, defects, dislocations, grain boundaries.
学修内容 第1回:はじめに(講義内容と材料科学について)
第2回:半導体・金属・絶縁体
第3回:半導体デバイス
第4回:結晶成長
第5回:プラズマと真空成膜
第6回:微細パターニング
第7回:光学多層膜
第8回:エッチング
第9回:プロセスインテグレーション
第10回:欠陥の種類と解析
第11回:結晶評価技術
第12回:結晶中の回折現象
第13回:X線回折と解析技術
第14回:デバイス評価技術
第15回:オペランド評価
事前・事後学修の内容 各回で関係する内容について事前・事後学習内容を示す。
事前学修の時間:120分/回    事後学修の時間:120分/回

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