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開講年度 | 2024 年度 | |
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開講区分 | 工学部電気電子工学科/総合工学科電気電子工学コース ・専門教育 | |
受講対象学生 |
学部(学士課程) : 3年次 |
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選択・必修 | 選択 選択科目 |
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授業科目名 | 半導体工学 | |
はんどうたいこうがく | ||
Physics and Technology of Semiconductor Devices | ||
単位数 | 2 単位 | |
ナンバリングコード | EN-EMAT-3
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開放科目 | 非開放科目 | |
開講学期 |
前期 |
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開講時間 |
火曜日 3, 4時限 |
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授業形態 |
対面授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい
「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業 |
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開講場所 | 工学部12番教室 | |
担当教員 | 三宅秀人(工学研究科電気電子工学専攻) | |
Hideto Miyake | ||
SDGsの目標 |
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連絡事項 | 開講の時間割「火曜日 3,4限」 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい |
授業の概要 | 電子回路や光通信情報処理装置の基本デバイス用の材料である半導体について,①キャリアのふるまい,半導体中の電流,半導体の光学特性などの基本的な性質を理解するとともに,②半導体デバイスの基礎となるpn接合,半導体金属接合、MIS接合、発光・受光素子などの動作原理を学ぶ。 |
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学修の目的 | 半導体中のキャリアの振舞い,半導体中の電流や半導体の光学特性などの半導体の基本的な性質、半導体デバイスの基礎となるpn接合,半導体金属接合、MIS接合、発光・受光素子などの動作原理についての知識を得る。 |
学修の到達目標 | 半導体材料の基本的な性質が理解できる。半導体pn接合を用いた各種デバイス(ダイオード、光デバイスなど)の動作が理解できる。 ★学習・教育目標:「基礎・専門知識」、「自主的継続的学習能力」、「制約下での仕事」に関する能力を向上させる |
ディプロマ・ポリシー |
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成績評価方法と基準 | 以下の方式で配点を行い,総合の60%以上を合格とする。 定期試験:60% 期末レポート10%、各章のレポート:30% 遅刻・欠席:5回以上遅刻や欠席がある場合には、定期試験の受験を認めない。 ※インフルエンザ、新型コロナ感染などのやむを得ない事情の場合には申し出てください。 |
授業の方法 | 講義 |
授業の特徴 |
問題提示型PBL(事例シナリオ活用含) 問題自己設定型PBL プロジェクト型PBL 実地体験型PBL Moodleを活用する授業 |
授業アンケート結果を受けての改善点 | 本講義では、半導体の基礎的性質、pn接合、光デバイス関する内容が網羅できるようにした。講義は教科書に沿って行うと共に、半導体技術に関連した研究開発の最先端情報を提供する。実際の半導体および半導体デバイスのサンプルを紹介する。演習についてはPBLチュートリアル教育を採用し、講義時間中の演習を通して学生自らが問題を解決する能力を養うようにする。 |
教科書 | 平松和政「新インターユニバーシティ 半導体工学」(オーム社) |
参考書 | 高橋、山田「半導体工学 ~半導体物性の基礎~」第3版(森北出版) 清水博文,星陽一,池田正則「基礎からの半導体工学」(日新出版) |
オフィスアワー | 連絡方法:電子メールmiyake@elec.mie-u.ac.jp(訪問予定をE-mailで尋ねてください。) |
受講要件 | |
予め履修が望ましい科目 | 基礎物理学I,基礎物理学IIIA,基礎電磁気学及び演習,電磁気学I・II及び演習,材料科学,量子力学,固体電子工学,電子回路工学I |
発展科目 | 電子デバイス工学,光エレクトロニクス,高電圧工学,電気電子工学基礎実験,電気電子工学応用実験 |
その他 | 半導体は、エレクトロニクス技術を支える最も重要な材料です。材料系だけでなく、システム系の研究室での卒業研究を考えている学生も是非受講してください。 |
MoodleのコースURL |
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キーワード | 半導体,結晶,エネルギーバンド,キャリア密度,フェルミ準位,電気伝導,pn接合,発光,吸収,発光ダイオード,半導体レーザー,太陽電池,フォトダイオード |
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Key Word(s) | Semiconductor, Crystal, Energy Band, Carrier Density, Fermi Level, Electrical Conduction, pn Junction, Light Emitting, Absorption, Light Emitting Diode, Laser Diode, Solar Cell, Photodiode |
学修内容 | 第1回 ガイダンス、半導体工学の学び方 第2回 1章 半導体の特長 第3回 2章 半導体結晶 第4回 3章 エネルギー帯図 第5回 3章 エネルギー帯図 第6回 4章 半導体のキャリヤ 第7回 4章 半導体のキャリヤ(電導機構) 第8回 5章 半導体の電気伝導(1) ドリフト電流 第9回 6章 半導体の電気伝導(2) 拡散電流 第10回 演 習 半導体基礎物理 第11回 7章 pn接合の電流-電圧特性 第12回 8章 pn接合の接合容量とバイポーラトランジスタ 第12回 9章 金属と半導体の接触 第13回 10章 金属-絶縁体-半導体(MIS)構造 第14回 11章 半導体の光学特性 第15回 12章 半導体を用いた光デバイス 第16回 期末試験 |
事前・事後学修の内容 | 毎回の講義において、以下に示す予習・復習を行うこと。 予習:教科書の該当箇所を読んでおくこと。 復習:講義内容、演習問題について復習を行うこと。 |
事前学修の時間:60分/回 事後学修の時間:180分/回 |