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シラバス基本情報

開講年度 2008 年度
領域等 主領域E
授業科目名称 オプトエレクトロニクス演習
よみがな おぷとえれくとろにくすえんしゅう
英語表記 Seminar in Optoelectronics
対象学生・科目区分 工学研究科(博士前期課程)電気電子工学専攻・・・1年次
開講学期・単位数等 後期・2単位
開放科目 他専攻受講可能
担当教員 平松和政(工学研究科電気電子工学専攻),元垣内敦司(工学研究科電気電子工学専攻)

授業内容・授業計画

授業種別 演習
キーワード・テーマ オプトエレクトロニクス,半導体,光,結晶成長
授業の目的・概要 今日の情報化社会において,情報処理技術および通信技術は工学の根幹をなすものである。この分野で光を用いた技術(オプトエレクトロニクス)がますます重要になっている。ここでは,オプトエレクトロニクスで基本となる光デバイス用半導体の光学的性質,結晶成長および応用デバイスについて,輪講並びに演習を通して学ぶ。
学生の到達目標 光デバイス用半導体の光学的性質,結晶成長および応用デバイスについて理解できること。
予め履修が望ましい科目 (学部)半導体工学I、半導体工学II、量子エレクトロニクス
(大学院)オプトエレクトロニクス演習
発展科目 半導体工学特論、半導体工学演習
教科書、参考書 プリント
成績評価方法と基準 レポート100%。ただし8割以上の出席を必要とする。
オフィスアワー オフィスアワー:毎週金曜日12:00~18:00
教授室:電子情報棟1階
連絡方法:電子メールhiramatu@elec.mie-u.ac.jpまたはmotogaito@elec.mie-u.ac.jp(訪問予定をE-mailで尋ねてください。)
授業改善への工夫 光デバイス用半導体の光学的性質,結晶成長および応用デバイスについて、学生自らが問題を解決する能力を養えるようにする。
授業計画・学習の内容と課題
学習内容 課題
第1回~第5回 光デバイス用半導体の光学的性質
第6回~第10回 半導体の結晶成長
第11回~第15回 半導体の光デバイス応用
各演習において,以下に示す予習・復習を行うこと。
予習:テキストの該当箇所を読み,自分で説明できるよう準備しておくこと。
復習:演習で行った内容について,復習すること。

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