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科目の基本情報
| 開講年度 | 2024 年度 | |
|---|---|---|
| 開講区分 | 工学研究科(博士前期課程)電気電子工学専攻 | |
| 領域 | 主領域 : E; 副領域 : F | |
| 受講対象学生 |
大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次, 2年次 |
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| 選択・必修 | 選択 |
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| 授業科目名 | 半導体工学特論 | |
| はんどうたいこうがくとくろん | ||
| Semiconductor Physics and Electronics | ||
| 単位数 | 2 単位 | |
| ナンバリングコード | EN-EMAT-5
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| 開放科目 | 非開放科目 | |
| 開講学期 |
前期 |
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| 開講時間 |
火曜日 1, 2時限 |
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| 授業形態 |
対面授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい
「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業 |
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| 開講場所 | 12番教室 | |
| 担当教員 | 〇三宅 秀人（大学院工学研究科 電気電子工学専攻）, 中村 孝夫（みえ未来図共創機構） | |
| 〇MIYAKE, Hideto; NAkAKAMURA, Takao | ||
| 実務経験のある教員 | 中村 孝夫（みえ未来図共創機構） | |
| SDGsの目標 |
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| 連絡事項 | * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい |
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学修の目的と方法
| 授業の概要 | 半導体の基本特性，デバイスの基礎原理を中心に半導体工学の理解を深める．また，最新の話題を紹介することにより，広く実際的な知識を与える． |
|---|---|
| 学修の目的 | 半導体物理、デバイス技術の知識を得る。最新の半導体動向を理解できる能力を得る。 |
| 学修の到達目標 | 半導体物理を理解し、数式を用いて定量的な説明ができる。各種デバイスの作製方法、プロセス技術、評価技術を理解し、説明できる。 |
| ディプロマ・ポリシー |
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| 成績評価方法と基準 | 5回以上欠席した場合には、不合格とする。 レポートでの評価100％で、60％以上を合格とする。 |
| 授業の方法 | 講義 |
| 授業の特徴 | |
| 授業アンケート結果を受けての改善点 | 学部の半導体工学の理解を深め、発展させるため、受講学生が深く理解して演習問題を解答することを求める。 |
| 教科書 | 森北出版 「半導体工学－半導体物性の基礎－」（第３版・新装版） 著者：山田、高橋 |
| 参考書 | |
| オフィスアワー | オフィスアワー：月曜 12:00-13:00 教授室：電子情報棟1116室 連絡法法：電子メールmiyake@elec.mie-u.ac.jp（訪問予定をE-mailで尋ねて下さい。） |
| 受講要件 | |
| 予め履修が望ましい科目 | 学部の半導体工学 ，電子デバイス工学，光エレクトロニクス |
| 発展科目 | |
| その他 |
英語対応授業である。 |
授業計画
| MoodleのコースURL |
|---|
| キーワード | 半導体物理、電子デバイス、発光デバイス、ディスプレイ |
|---|---|
| Key Word(s) | Physics in Semiconductors, Electronic Devices, Optical Devices, Display |
| 学修内容 | 第1回 ガイダンス、半導体の基礎 第2回 半導体の基礎 第3回 pn接合 第4回 発光デバイス 第5回 受光デバイス 第6回 バイポーラトランジスタ 第7回 金属半導体接触 第8回 MIS構造 第9回 MOS形電界効果トランジスタ 第10回 パワーデバイス 第11回 パワーデバイス 第12回 高周波デバイス 第13回 高周波デバイス 第14回 量子効果デバイス 第15回 集積回路 第16回 半導体プロセス |
| 事前・事後学修の内容 | 学部の半導体工学の教科書を読んで予習をしておくこと。 授業の内容について復習を十分に行うこと。 |
| 事前学修の時間:60分/回 事後学修の時間:180分/回 |