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科目の基本情報

開講年度 2017 年度
開講区分 工学研究科(博士前期課程)機械工学専攻
領域 主領域 : E
受講対象学生 大学院(修士課程・博士前期課程・専門職学位課程) : 1年次, 2年次
選択・必修
授業科目名 ナノテクノロジー特論
なのてくのろじーとくろん
Nano-scale Technology
単位数 2 単位
他学部・他研究科からの受講 他専攻の学生の受講可
市民開放授業 市民開放授業ではない
開講学期

前期

開講時間 火曜日 1, 2時限
開講場所

担当教員 高橋 裕(工学研究科機械工学専攻)

TAKAHASHI, Yutaka

学習の目的と方法

授業の概要 MOSトランジスターを例として半導体プロセスによる微細加工法を講義する。前半においては固体物理の観点から半導体デバイスの動作特性を説明する。中盤ではその構造を作り出すための、ウエハーからパッケージングまでの一連の製造工程を説明する。そして、後半ではそれらの製造機の仕組みや要求される特性を説明する。
学習の目的 トップダウン型のナノテクノロジーにおいて、汎用的に用いられる手法の原理と適用法に関する知識を得る。
学習の到達目標 半導体プロセスの一連の流れと必要な装置が挙げれるようになるとともに、マイクロマシンやトップダウンのナノテクノロジーに関連する講演を聴いてある程度理解できるレベルになる。
ディプロマ・ポリシー
○ 学科・コース等の教育目標
○ JABEE 関連項目

○ 全学の教育目標
感じる力
  •  感性
  •  共感
  •  倫理観
  •  モチベーション
  •  主体的学習力
  •  心身の健康に対する意識
考える力
  •  幅広い教養
  • ○専門知識・技術
  •  論理的思考力
  •  課題探求力
  • ○問題解決力
  •  批判的思考力
コミュニケーション力
  •  情報受発信力
  •  討論・対話力
  •  指導力・協調性
  •  社会人としての態度
  •  実践外国語力
生きる力
  •  感じる力、考える力、コミュニケーション力を総合した力

授業の方法 講義

授業の特徴

教科書 講義開始時にプリントを配布する。
参考書 特になし
成績評価方法と基準 期末試験100%, ただし2/3以上の出席を必要とする。
オフィスアワー 開講曜日にあわせて、毎週火曜日13:00~14:00 合同棟2F 7206室
受講要件 特になし
予め履修が望ましい科目 特になし
発展科目 ナノテクノロジー演習
授業改善への工夫 プロジェクターでテキストの図面を表示し、視覚的にわかりやすくする。教科書に沿った内容であるため、板書はメモ程度で用いるが、話す内容が早くならない役目もある。また、現場から取材した図や写真も示し、臨場感を持たせる。
その他 英語対応授業である。

授業計画

キーワード 半導体、バンド構造、pn接合、MOS、ナノ加工、リソグラフィー
Key Word(s) semiconductor, band structure, pn junction, MOS, nano-processing, lithography
学習内容 以下の3大項目に関して、テキストに沿って進める。

第1~5回 半導体の電子論
固体中の電子, p-n接合, MOS構造

第6~10回 半導体の製造工程(ウエハーからパッケージングまで)
基板工程, 配線工程

第11~15回 半導体の製造機
ウエハー製造, 薄膜成長, イオン打ち込み, 微細露光, エッチング

第16回 定期試験
学習課題(予習・復習) 講義においては要点に集中して話しを進めるため、当該の箇所を授業後に目を通して、復習する必要がある。
ナンバリングコード(試行) EN-PROC-5

※最初の2文字は開講主体、続く4文字は分野、最後の数字は開講レベルを表します。 ナンバリングコード一覧表はこちら


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