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科目の基本情報

開講年度 2017 年度
開講区分 工学研究科(博士後期課程)材料科学専攻
受講対象学生 大学院(博士課程・博士後期課程) : 1年次
選択・必修
授業科目名 電子デバイス工学特論
でんしでばいすこうがくとくろん
Electronic Devices
単位数 2 単位
他学部・他研究科からの受講
市民開放授業 市民開放授業ではない
開講学期

前期

開講時間 金曜日 1, 2時限
開講場所

担当教員 平松和政(工学研究科材料科学専攻)

HIRAMATSU, Kazumasa

学習の目的と方法

授業の概要 半導体電子デバイス,光デバイスの機能及び動作原理,材料構成,基本構造,集積化に関する高度な知識を講義を通して学ぶ。
学習の目的 半導体電子デバイス,光デバイスの機能及び動作原理,材料構成,基本構造,集積化に関する高度な知識を得る。
学習の到達目標 半導体電子デバイス,光デバイスの機能及び動作原理,材料構成,基本構造,集積化について理解できる。
ディプロマ・ポリシー
○ 学科・コース等の教育目標

○ 全学の教育目標
感じる力
  •  感性
  •  共感
  •  倫理観
  •  モチベーション
  • ○主体的学習力
  •  心身の健康に対する意識
考える力
  •  幅広い教養
  • ○専門知識・技術
  •  論理的思考力
  •  課題探求力
  •  問題解決力
  •  批判的思考力
コミュニケーション力
  •  情報受発信力
  • ○討論・対話力
  •  指導力・協調性
  •  社会人としての態度
  •  実践外国語力
生きる力
  • ○感じる力、考える力、コミュニケーション力を総合した力

授業の方法 講義

授業の特徴 PBL 能動的要素を加えた授業

教科書 プリント
参考書
成績評価方法と基準 レポート100%。ただし、8割以上の出席を必要とする。
オフィスアワー オフィスアワー:毎週金曜日12:00~18:00
教授室:電気電子棟1階1120室
連絡方法:電子メールhiramatu@elec.mie-u.ac.jp(訪問予定をE-mailで尋ねてください。)
受講要件
予め履修が望ましい科目 (学部)半導体工学I,半導体工学II,量子エレクトロニクス
(大学院)オプトエレクトロニクス特論,オプトエレクトロニクス演習,半導体工学特論,半導体工学演習
発展科目 電子デバイス工学演習
授業改善への工夫 半導体電子デバイス,光デバイスの機能及び動作原理,材料構成,基本構造,集積化について高度な知識が学べるよう、最新の研究事例などの情報を提供する。また、学生自らが問題を解決できるようPBL教育を導入する。
その他

授業計画

キーワード オプトエレクトロニクス,半導体,光,結晶成長,電子デバイス,光デバイス
Key Word(s) Optoelectronics, Semiconductor, Optics, Crystal Growth, Electrical Device, Optical Device
学習内容 第1回~第6回 半導体材料と結晶成長
第7回~第11回 半導体材料の電気的・光学的特性
第12回~第16回 半導体材料のデバイス応用
学習課題(予習・復習) 各講義について,以下に示す予習・復習を行うこと。
予習:テキストの該当箇所を読むこと。
復習:講義で習った内容について,復習すること。
ナンバリングコード(試行) EN-EMAT-7

※最初の2文字は開講主体、続く4文字は分野、最後の数字は開講レベルを表します。 ナンバリングコード一覧表はこちら


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