シラバスの詳細な内容を表示します。
→ 閉じる(シラバスの一覧にもどる)
開講年度 | 2024 年度 | |
---|---|---|
開講区分 | 工学部電気電子工学科/総合工学科電気電子工学コース ・専門教育 | |
受講対象学生 |
学部(学士課程) : 3年次 |
|
選択・必修 | 選択 |
|
授業科目名 | 材料科学 | |
ざいりょうかがく | ||
material science | ||
単位数 | 2 単位 | |
ナンバリングコード | EN-EMAT-2
|
|
開放科目 | 非開放科目 | |
開講学期 |
後期 |
|
開講時間 |
水曜日 3, 4時限 |
|
授業形態 |
対面授業 * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい
「オンライン授業」・・・オンライン会議ツール等を利用して実施する同時双方向型の授業 |
|
開講場所 | ||
担当教員 | 濵口 達史・姚 永昭(半導体・デジタル未来創造センター) | |
HAMAGUCHI, Tatsushi・YAO, Yongzhao | ||
実務経験のある教員 | 電気メーカーにて半導体デバイスの研究開発、量産経験のある教員が担当する。材料科学が実社会でどのように活用されているかという観点を大切にし講義を行う。 | |
SDGsの目標 |
|
|
連絡事項 | * 状況により変更される可能性があるので定期的に確認して下さい |
授業の概要 | 半導体デバイスの作製プロセスは、半導体のみならず金属、絶縁体などの多種多様な材料の形成、微細な加工、評価などの幾多の工程を含み、まさしく材料科学の応用・集大成と言える。また、その工程や背景にある原理は半導体デバイスのみならずさまざまな電子機器製造にも応用されている。本講義では半導体作製プロセス全般を学び、材料科学の実社会での活用のされ方を理解する。 |
---|---|
学修の目的 | 以下の知識を得ることを目的とする。①半導体、絶縁体、金属の違いに関する基礎的な理解。②これらの形成、加工手法、評価、とりわけ半導体素子製造・評価技術についての基礎知識。③これら材料及び工程を組み合わせたデバイスの製造プロセスについての基礎知識。 |
学修の到達目標 | 材料やその応用である半導体素子・製造工程についての基本的な知識を身につけ、電子デバイスおよびその作製・評価プロセスに対する基礎的知識を理解する。 |
ディプロマ・ポリシー |
|
成績評価方法と基準 | 確認テストやレポート等(30%)と期末試験(70%)で評価する。 |
授業の方法 | 講義 |
授業の特徴 | |
授業アンケート結果を受けての改善点 | |
教科書 | 講義資料を用いますので教科書はありません。 |
参考書 | 半導体デバイス 第2版 基礎理論とプロセス技術 S.M.ジィー著 産業図書 |
オフィスアワー | 毎週水曜日9:00-10:00、場所:地域イノベーション研究開発拠点D棟2F 電子メール:hamaguchi@icsdf.mie-u.ac.jp(訪問予定をE-mailで尋ねてください。) |
受講要件 | |
予め履修が望ましい科目 | |
発展科目 | |
その他 |
MoodleのコースURL |
---|
キーワード | 半導体、半導体デバイス、LED、レーザー、半導体プロセス、結晶、欠陥、転位、結晶粒界。 |
---|---|
Key Word(s) | Semiconductors, semiconductor devices, LEDs, lasers, semiconductor processes, crystals, defects, dislocations, grain boundaries. |
学修内容 | 第1回:はじめに(講義内容と材料科学について) 第2回:半導体・金属・絶縁体 第3回:半導体デバイス 第4回:結晶成長 第5回:プラズマと真空成膜 第6回:微細パターニング 第7回:光学多層膜 第8回:エッチング 第9回:プロセスインテグレーション 第10回:欠陥の種類と解析 第11回:結晶評価技術 第12回:結晶中の回折現象 第13回:X線回折と解析技術 第14回:デバイス評価技術 第15回:オペランド評価 |
事前・事後学修の内容 | 各回で関係する内容について事前・事後学習内容を示す。 |
事前学修の時間:120分/回 事後学修の時間:120分/回 |